在中国第三代半导体路线和碳化硅、氮化镓的创新工艺下，台积电已是昨日黄花。台积电的3nm相对5nm密度不过提高了30％，而中国的闪存可作500层。密度提高至少400多倍。而开关速度快于硅晶圆芯片，耗电少，耐高温。
中科院突破了5nm光刻机，中国创新了冰刻，比光刻胶工艺减少4道工序。
而最最新的是中国的九章量子计算机，根本就不要芯片，速度提高1000万亿倍。

利害国，就是利害。